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          產(chǎn)品展示/ Product display

          您的位置:首頁  /  產(chǎn)品展示  /  華科智源半導(dǎo)體測(cè)試  /  靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀  /  HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

          華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車,風(fēng)力發(fā)電,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。測(cè)試過程簡單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

          • 產(chǎn)品型號(hào):HUSTEC-1200A-MT
          • 廠商性質(zhì):代理商
          • 更新時(shí)間:2025-12-18
          • 訪  問  量:2559
          立即咨詢

          聯(lián)系電話:13421301530

          詳細(xì)介紹
          品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
          應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,汽車及零部件,電氣測(cè)量類型多種IGBT、MOS管
          脈沖電流1200A電壓5KV
          脈沖寬度50uS~300uSVce測(cè)量精度2mV
          Vce測(cè)量范圍>10V

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          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀



          產(chǎn)品介紹

          深圳市華科智源科技有限公司是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開放之都-中國深圳,業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀。HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I  特性測(cè)試 , 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電 ,變頻器, 焊機(jī)行業(yè)的  IGBT來料選型和失效分析。測(cè)試過程簡單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。


          主要特點(diǎn)

          A:測(cè)量多種IGBT、MOS管 

          B:最大脈沖電流1200A,電壓5KV,大功率測(cè)試

          C:脈沖寬度 50uS~300uS

          D:Vce測(cè)量精度2mV

          E:Vce測(cè)量范圍>10V F:電腦圖形顯示界面

          G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

          H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

          I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 


          測(cè)試項(xiàng)目
          A:ICES  集電極-發(fā)射極漏電流
          B:IGESF 正向柵極漏電流  IGESR 反向柵極漏電流
          C:BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
          D:VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
          E:VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
          F:ICON 通態(tài)電極電流
          G:VGEON 通態(tài)柵極電壓
          H:VF 二極管正向?qū)▔航?/span>


          Vce-Ic特征曲線


          image.png


          Vgth-Vce特征曲線

          image.png




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